报告题目：Development of gallium nitride electron devices

时间地点：2016年5月27日（星期五）上午10：00高分子学院401会议室

报告人：敖金平

报告人简介：

敖金平，博士，日本国立德岛大学院技术与科学研究部教授，国际电气子工程师协会(IEEE)高级会员，日本应用物理学会(JSAP)会员，日本电子情报通信学会(IEICE)会员，The Electrochemical Society会员，在国际学术期刊和会议上发表论文170 多篇，拥有包括可以直接在交流下工作的GaN LED单片阵列，晶体管型GaN紫外光探测器，微波整流用GaN肖特基势垒二极管和电能传输系统路，GaN电子器件的制造工艺等多项发明专利。目前在微波GaN肖特基势垒二极管的研究开发方面保持国际领先。

研究方向：

基于GaN等宽禁带半导体的光电器件(蓝光，紫光和紫外LED, LD)，高电压高功率GaN LED阵列, 交流驱动GaN LED 阵列，GaN肖特基二极管， 微波功率AlGaN/GaN HEMT和有关的单片集成电路 ，增强型GaN MOSFET，AlGaN/GaN HEMT高温器件，AlGaN/GaN HEMT微波毫米微波器件，GaN系电子器件的不稳定性机理 ，AlGaN/GaN异质结离子传感器等。

欢迎大家莅临参加！